31 grudnia 2024 r., według China Electronic Materials Industry Association, firma Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., spółka zależna China Electronics Technology Semiconductor Materials Co., Ltd., pomyślnie opracowała 12-calowy (300 mm) wysokiej czystości, półizolacyjny monokrystaliczny substrat z węglika krzemu, a jednocześnie pomyślnie opracowała 12-calowy monokrystaliczny substrat z węglika krzemu typu N.

Jeśli chodzi o budowę mocy produkcyjnych, projekt Shuoke Crystal Silicon Carbide Phase II przeszedł akceptację końcową w październiku 2024 r., co oznacza oficjalne rozpoczęcie produkcji projektu. Oczekuje się, że ukończenie projektu Phase II przyniesie Shuoke Crystal dodatkowe 200 000 6-8-calowych podłoży z węglika krzemu rocznie, w tym 200 000 monokrystalicznych podłoży z węglika krzemu typu N rocznie i 25 000 podłoży o wysokiej czystości rocznie.

Jeśli chodzi o postęp 8-calowy, Shuoke Crystal opracował 8-calowe kryształy węglika krzemu w sierpniu 2021 r., a następnie w styczniu 2022 r. Shuoke Crystal osiągnął produkcję na małą skalę 8-calowych płytek polerskich z węglika krzemu typu N. Zwiększenie rozmiaru płytki oznacza, że ​​na każdej płytce można wyprodukować więcej chipów, co poprawia wydajność produkcji. Nie tylko zmniejsza to koszt produkcji pojedynczego chipa, ale także optymalizuje całkowity koszt produkcji. Dlatego płytki o dużych rozmiarach są bardziej wydajne ekonomicznie i przynoszą producentom większe korzyści konkurencyjne.

Obecnie wafle o dużych rozmiarach stały się powszechnym celem, do którego dążą główni producenci. Oprócz Shuoke Crystal, Tianyue Advanced wypuściło 12-calowy produkt z węglika krzemu typu N w dniu 13 listopada 2024 r., co oznacza, że ​​branża węglika krzemu oficjalnie weszła w erę ultra-dużych podłoży z węglika krzemu. Chociaż obszar podłoży z węglika krzemu obecnie przekształca się z 6 cali na 8 cali, przyszła ewolucja do 12 cali ma dużą widoczność.